库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | ￥15.346308 | ￥12277.05 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Depletion |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 14.6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 325 pF @ 25 V |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263（D2Pak） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
IXTA08N100D2-TRL
型号：IXTA08N100D2-TRL
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
库存：0
单价：
| 800+： | ￥15.346308 |
货期：1-2天
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