货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥11.364283 | ¥11.36 |
10 | ¥10.130873 | ¥101.31 |
100 | ¥7.899544 | ¥789.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 P 沟道(双)共源 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 68 毫欧 @ 1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 410pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 750mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-UFBGA,DSBGA |
供应商器件封装: | 6-DSBGA(1x1.5) |
标准包装: | 250 |
CSD75208W1015T
型号:CSD75208W1015T
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
库存:0
单价:
1+: | ¥11.364283 |
10+: | ¥10.130873 |
100+: | ¥7.899544 |
250+: | ¥7.384446 |
500+: | ¥6.525859 |
1000+: | ¥5.464156 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.36