1N4448-T

制造商编号:
1N4448-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
规格说明书:
1N4448-T说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDH333 onsemi ¥2.76000 类似
1N4148 onsemi ¥0.77000 类似
FDH300TR onsemi ¥2.38000 类似
1N4151TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.23000 升级
FDH300ATR onsemi ¥0.31879 类似

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1N4448-T

型号:1N4448-T

品牌:Diodes美台

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

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