货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 5.7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 44µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1650pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 1.6W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | PG-DSO-8 |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥5.07000 | 类似 |
BSO207PHXUMA1
型号:BSO207PHXUMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00