- 制造商编号：
- PSMN030-150P,127
- 制造商：
- Nexperia安世
- 描述：
- MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
- 规格说明书：
- PSMN030-150P,127说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥17.505509 | ￥87527.54 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 55.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 30 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3680 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 250W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFB4228PBF | Rochester Electronics, LLC | ¥32.48000 | 类似 |
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | ¥29.18000 | 类似 |
| IXTP90N15T | IXYS | ¥33.02000 | 类似 |
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | ¥25.19000 | 类似 |
PSMN030-150P,127
型号：PSMN030-150P,127
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
库存：0
单价：
| 5000+： | ￥17.505509 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00