货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥14.708913 | ¥14.71 |
10 | ¥13.187044 | ¥131.87 |
100 | ¥10.278957 | ¥1027.90 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 900 毫欧 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 315 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 60W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-251(IPAK) |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装: | 75 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IPSA70R1K2P7SAKMA1 | Infineon Technologies | ¥6.91000 | 类似 |
FCU5N60TU | onsemi | ¥10.44000 | 类似 |
IPU80R1K2P7AKMA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥3.50669 | 类似 |
STU9N65M2
型号:STU9N65M2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥14.708913 |
10+: | ¥13.187044 |
100+: | ¥10.278957 |
500+: | ¥8.491531 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.71