- 制造商编号：
- RW1C025ZPT2CR
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
- 规格说明书：
- RW1C025ZPT2CR说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.302015 | ￥4.30 |
| 10 | ￥3.456532 | ￥34.57 |
| 100 | ￥2.352804 | ￥235.28 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 65 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1300 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 700mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 6-WEMT |
| 封装/外壳: | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装: | 8,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.76000 | 类似 |
RW1C025ZPT2CR
型号：RW1C025ZPT2CR
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.302015 |
| 10+： | ￥3.456532 |
| 100+： | ￥2.352804 |
| 500+： | ￥1.764572 |
| 1000+： | ￥1.323417 |
| 2000+： | ￥1.213143 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.30