库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5378.314773 | ￥5378.31 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 碳化硅（SiC） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.6V @ 50mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 880W |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 标准包装: | 12 |
BSM180D12P3C007
型号：BSM180D12P3C007
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：SIC POWER MODULE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5378.314773 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5378.31