2N7002LT3G

制造商编号:
2N7002LT3G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
规格说明书:
2N7002LT3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 2.35951 2.36
10 1.908126 19.08
100 1.010144 101.01

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 225mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMBF170,235 Nexperia USA Inc. ¥3.15000 类似
2N7002-TP Micro Commercial Co ¥1.69000 类似
2N7002T-TP Micro Commercial Co ¥3.07000 类似

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2N7002LT3G

型号:2N7002LT3G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

库存:0

单价:

1+: ¥2.35951
10+: ¥1.908126
100+: ¥1.010144
500+: ¥0.664402
1000+: ¥0.451784
2000+: ¥0.407489
5000+: ¥0.354348
10000+: ¥0.301197

货期:1-2天

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