SI1026X-T1-GE3

制造商编号:
SI1026X-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
规格说明书:
SI1026X-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.060463 5.06
10 4.335586 43.36
100 3.235091 323.51

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 305mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 30pF @ 25V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SC-89(SOT-563F)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTZD5110NT1G onsemi ¥3.15000 类似

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SI1026X-T1-GE3

型号:SI1026X-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

库存:0

单价:

1+: ¥5.060463
10+: ¥4.335586
100+: ¥3.235091
500+: ¥2.54182
1000+: ¥1.964131
3000+: ¥1.790832
6000+: ¥1.733066

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