货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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75 | ¥14.083506 | ¥1056.26 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | DTMOSIV |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 820 毫欧 @ 3.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.7V @ 310µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 390 pF @ 300 V |
FET 功能: | 超级结 |
功率耗散(最大值): | 60W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | I-Pak |
封装/外壳: | TO-251-3 短截引线,IPak |
标准包装: | 75 |
TK6Q60W,S1VQ
型号:TK6Q60W,S1VQ
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
库存:0
单价:
75+: | ¥14.083506 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00