STGW40H65FB

制造商编号:
STGW40H65FB
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 650V 80A 283W TO247
规格说明书:
STGW40H65FB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 38.86734 38.87
10 34.889841 348.90
100 28.586394 2858.64

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,40A
功率 - 最大值: 283 W
开关能量: 498mJ(开),363mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 40ns/142ns
测试条件: 400V,40A,5 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies ¥41.16000 类似

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STGW40H65FB

型号:STGW40H65FB

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 650V 80A 283W TO247

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1+: ¥38.86734
10+: ¥34.889841
100+: ¥28.586394
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