货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥38.86734 | ¥38.87 |
10 | ¥34.889841 | ¥348.90 |
100 | ¥28.586394 | ¥2858.64 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 80 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.3V @ 15V,40A |
功率 - 最大值: | 283 W |
开关能量: | 498mJ(开),363mJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 210 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 40ns/142ns |
测试条件: | 400V,40A,5 欧姆,15V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | ¥41.16000 | 类似 |
STGW40H65FB
型号:STGW40H65FB
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT 650V 80A 283W TO247
库存:0
单价:
1+: | ¥38.86734 |
10+: | ¥34.889841 |
100+: | ¥28.586394 |
500+: | ¥24.335431 |
1000+: | ¥24.202702 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥38.87