IXKH35N60C5

制造商编号:
IXKH35N60C5
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
规格说明书:
IXKH35N60C5说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 110.957179 110.96
10 101.950301 1019.50
100 86.103094 8610.31

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2800 pF @ 100 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCH104N60F-F085 onsemi ¥50.45000 类似
AOK42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥52.53000 类似
STW34NM60N STMicroelectronics ¥77.49000 类似
IPW65R099C6FKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥68.66000 直接
TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage ¥51.76000 类似

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IXKH35N60C5

型号:IXKH35N60C5

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

库存:0

单价:

1+: ¥110.957179
10+: ¥101.950301
100+: ¥86.103094
500+: ¥76.594447
1000+: ¥72.032334

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥110.96