EGF1DHE3_A/I

制造商编号:
EGF1DHE3_A/I
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
规格说明书:
EGF1DHE3_A/I说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214BA
供应商器件封装: DO-214BA(GF1)
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 6,500

客服

购物车

EGF1DHE3_A/I

型号:EGF1DHE3_A/I

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00