PMDPB58UPE,115

制造商编号:
PMDPB58UPE,115
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
规格说明书:
PMDPB58UPE,115说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.38905 4.39
10 3.723854 37.24
100 2.779525 277.95

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 804pF @ 10V
功率 - 最大值: 515mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-HUSON(2x2)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated ¥4.68000 类似

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PMDPB58UPE,115

型号:PMDPB58UPE,115

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

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1+: ¥4.38905
10+: ¥3.723854
100+: ¥2.779525
500+: ¥2.183559
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