STGP20M65DF2

制造商编号:
STGP20M65DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT TRENCH 650V 40A TO220
规格说明书:
STGP20M65DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 27.30412 27.30
10 24.540137 245.40
100 19.721631 1972.16

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: M
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 166 W
开关能量: 140µJ(开),560µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 63 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 26ns/108ns
测试条件: 400V,20A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 166 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 1,000

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STGP20M65DF2

型号:STGP20M65DF2

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT TRENCH 650V 40A TO220

库存:0

单价:

1+: ¥27.30412
10+: ¥24.540137
100+: ¥19.721631
500+: ¥16.203503
1000+: ¥15.286266

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