BSM180C12P2E202

制造商编号:
BSM180C12P2E202
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
规格说明书:
BSM180C12P2E202说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5729.127951 5729.13

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 204A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 35.2mA
Vgs(最大值): +22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20000 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1360W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: 模块
封装/外壳: 模块
标准包装: 4

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BSM180C12P2E202

型号:BSM180C12P2E202

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:SICFET N-CH 1200V 204A MODULE

库存:0

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1+: ¥5729.127951

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单价:¥0.00总价:¥5729.13