IMB1AT110

制造商编号:
IMB1AT110
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
规格说明书:
IMB1AT110说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SMT6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.69000 直接

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IMB1AT110

型号:IMB1AT110

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

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