货期: 国内(1~2天)
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥11.936227 | ¥11.94 |
10 | ¥10.628216 | ¥106.28 |
25 | ¥10.091085 | ¥252.28 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 32.4 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 6nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 353pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 2.3W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | 6-WSON(2x2) |
标准包装: | 250 |
CSD87502Q2T
型号:CSD87502Q2T
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
库存:40937
单价:
1+: | ¥11.936227 |
10+: | ¥10.628216 |
25+: | ¥10.091085 |
100+: | ¥8.287472 |
250+: | ¥7.747258 |
500+: | ¥6.846396 |
1000+: | ¥5.948978 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.94