GSID100A120T2P2

制造商编号:
GSID100A120T2P2
制造商:
SemiQ
描述:
IGBT MOD 1200V 200A 710W
规格说明书:
GSID100A120T2P2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3 1278.676632 3836.03

规格参数

属性 参数值
制造商: SemiQ
系列: Amp+™
包装: 散装
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A
功率 - 最大值: 710 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7 nF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 3

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GSID100A120T2P2

型号:GSID100A120T2P2

品牌:SemiQ

描述:IGBT MOD 1200V 200A 710W

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