货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥11.836759 | ¥11.84 |
10 | ¥10.551128 | ¥105.51 |
100 | ¥8.223563 | ¥822.36 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 135A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.8 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 127 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3775 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 2,500 |
DMP34M4SPS-13
型号:DMP34M4SPS-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
库存:0
单价:
1+: | ¥11.836759 |
10+: | ¥10.551128 |
100+: | ¥8.223563 |
500+: | ¥6.793479 |
1000+: | ¥5.363245 |
2500+: | ¥5.005706 |
5000+: | ¥4.875688 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.84