货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.229789 | ¥8.23 |
10 | ¥7.388573 | ¥73.89 |
100 | ¥5.76279 | ¥576.28 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17.3A(Ta),82A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.2 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 37.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2130 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.8W(Ta),62.5W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Accelerometer,3 Axis,Impact |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 2,500 |
DMT67M8LPSW-13
型号:DMT67M8LPSW-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
库存:0
单价:
1+: | ¥8.229789 |
10+: | ¥7.388573 |
100+: | ¥5.76279 |
500+: | ¥4.760648 |
1000+: | ¥3.758392 |
2500+: | ¥3.507828 |
5000+: | ¥3.416719 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.23