库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.229789 | ￥8.23 |
| 10 | ￥7.388573 | ￥73.89 |
| 100 | ￥5.76279 | ￥576.28 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17.3A（Ta），82A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 37.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2130 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.8W（Ta），62.5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | Accelerometer，3 Axis，Impact |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 2,500 |
DMT67M8LPSW-13
型号：DMT67M8LPSW-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.229789 |
| 10+： | ￥7.388573 |
| 100+： | ￥5.76279 |
| 500+： | ￥4.760648 |
| 1000+： | ￥3.758392 |
| 2500+： | ￥3.507828 |
| 5000+： | ￥3.416719 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.23