BAR81WE6327BTSA1

制造商编号:
BAR81WE6327BTSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4
规格说明书:
BAR81WE6327BTSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准 - 单
电压 - 峰值反向(最大值): 30V
电流 - 最大值: 100 mA
不同 Vr、F 时电容: 0.9pF @ 3V,1MHz
不同 If、F 时电阻: 1 欧姆 @ 5mA,100MHz
功率耗散(最大值): 100 mW
工作温度: 150°C(TJ)
封装/外壳: SC-82A,SOT-343
供应商器件封装: PG-SOT343-4
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.38000 类似
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.38000 类似

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BAR81WE6327BTSA1

型号:BAR81WE6327BTSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4

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