IRFB7434PBF

制造商编号:
IRFB7434PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
规格说明书:
IRFB7434PBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 28.646945 28.65
10 25.771061 257.71
100 20.710846 2071.08

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 324 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10820 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 294W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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IRFB7434PBF

型号:IRFB7434PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

库存:0

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1+: ¥28.646945
10+: ¥25.771061
100+: ¥20.710846
500+: ¥17.016087
1000+: ¥16.205791

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