FQU4N50TU-WS

制造商编号:
FQU4N50TU-WS
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
规格说明书:
FQU4N50TU-WS说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.187272 9.19
10 8.228649 82.29
100 6.41821 641.82

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.7 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 5,040

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FQU5N60CTU onsemi ¥7.91000 MFR Recommended

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FQU4N50TU-WS

型号:FQU4N50TU-WS

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

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1+: ¥9.187272
10+: ¥8.228649
100+: ¥6.41821
500+: ¥5.301968
1000+: ¥4.439458

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