IXTY44N10T

制造商编号:
IXTY44N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 100V 44A TO252
规格说明书:
IXTY44N10T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.158427 24.16
10 21.684146 216.84
100 17.432735 1743.27

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Trench
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1262 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 130W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 70

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IXTY44N10T

型号:IXTY44N10T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 100V 44A TO252

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单价:

1+: ¥24.158427
10+: ¥21.684146
100+: ¥17.432735
500+: ¥14.322428
1000+: ¥11.867121
2000+: ¥11.160348

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