货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥47.64544 | ¥47.65 |
10 | ¥42.787644 | ¥427.88 |
100 | ¥35.056575 | ¥3505.66 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 76A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20 毫欧 @ 38A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 97 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5800 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 350W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
IXFP76N15T2
型号:IXFP76N15T2
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥47.64544 |
10+: | ¥42.787644 |
100+: | ¥35.056575 |
500+: | ¥29.842831 |
1000+: | ¥25.168642 |
2000+: | ¥24.514947 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥47.65