SQ1912EH-T1_GE3

制造商编号:
SQ1912EH-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
规格说明书:
SQ1912EH-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.873959 4.87
10 3.905384 39.05
100 2.662276 266.23

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 800mA(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 280 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.15nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 75pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-70-6
标准包装: 3,000

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SQ1912EH-T1_GE3

型号:SQ1912EH-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

库存:0

单价:

1+: ¥4.873959
10+: ¥3.905384
100+: ¥2.662276
500+: ¥1.996483
1000+: ¥1.497462
3000+: ¥1.372629
6000+: ¥1.289461

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