货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.873959 | ¥4.87 |
10 | ¥3.905384 | ¥39.05 |
100 | ¥2.662276 | ¥266.23 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 280 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.15nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 75pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1.5W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | SC-70-6 |
标准包装: | 3,000 |
SQ1912EH-T1_GE3
型号:SQ1912EH-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
库存:0
单价:
1+: | ¥4.873959 |
10+: | ¥3.905384 |
100+: | ¥2.662276 |
500+: | ¥1.996483 |
1000+: | ¥1.497462 |
3000+: | ¥1.372629 |
6000+: | ¥1.289461 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.87