APTGLQ50H65T3G

制造商编号:
APTGLQ50H65T3G
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F
规格说明书:
APTGLQ50H65T3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
15 772.471183 11587.07

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A
功率 - 最大值: 175 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.1 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: SP3F
标准包装: 1

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APTGLQ50H65T3G

型号:APTGLQ50H65T3G

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F

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