STGP8M120DF3

制造商编号:
STGP8M120DF3
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
规格说明书:
STGP8M120DF3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 33.968003 33968.00

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 32 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,8A
开关能量: 390µJ(开),370µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 32 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/126ns
测试条件: 600V,8A,33 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 103 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 1,000

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STGP8M120DF3

型号:STGP8M120DF3

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

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1000+: ¥33.968003

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