FDD5614P

制造商编号:
FDD5614P
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 60V 15A TO252
规格说明书:
FDD5614P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.161736 7.16
2500 2.759382 6898.45

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 759 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOD407 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.22000 类似

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FDD5614P

型号:FDD5614P

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 60V 15A TO252

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