BAQ33-GS18

制造商编号:
BAQ33-GS18
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
规格说明书:
BAQ33-GS18说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.630602 3.63
10 2.979083 29.79
100 1.580307 158.03

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 最后售卖
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 nA @ 15 V
不同 Vr、F 时电容: 3pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 10,000

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BAQ33-GS18

型号:BAQ33-GS18

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80

库存:0

单价:

1+: ¥3.630602
10+: ¥2.979083
100+: ¥1.580307
10000+: ¥0.471394

货期:1-2天

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