JANTXV1N4102DUR-1

制造商编号:
JANTXV1N4102DUR-1
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE ZENER 8.7V 500MW DO213AA
规格说明书:
JANTXV1N4102DUR-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
100 303.066091 30306.61

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/435
包装: 散装
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 8.7 V
容差: ±1%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 6.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装: DO-213AA
标准包装: 1

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JANTXV1N4102DUR-1

型号:JANTXV1N4102DUR-1

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO213AA

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