库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥90.77845 | ￥90.78 |
| 25 | ￥75.593235 | ￥1889.83 |
| 100 | ￥74.453375 | ￥7445.34 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 6 N 和 6 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | 56-QFN（8x8） |
| 标准包装: | 250 |
TC8020K6-G
型号：TC8020K6-G
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥90.77845 |
| 25+： | ￥75.593235 |
| 100+： | ￥74.453375 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥90.78