NHPD660T4G

制造商编号:
NHPD660T4G
制造商:
ON安森美
描述:
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
规格说明书:
NHPD660T4G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.280858 15.28
10 13.673197 136.73
25 12.97816 324.45

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 3 V @ 6 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 2,500

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NHPD660T4G

型号:NHPD660T4G

品牌:ON安森美

描述:DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

库存:0

单价:

1+: ¥15.280858
10+: ¥13.673197
25+: ¥12.97816
100+: ¥10.660046
250+: ¥9.96486
500+: ¥8.80625
2500+: ¥8.11094

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥15.28