SPP20N60CFDHKSA1

制造商编号:
SPP20N60CFDHKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
规格说明书:
SPP20N60CFDHKSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 @ 13.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 124 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 208W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage ¥22.81000 类似
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ¥33.56000 类似
FCP190N65F Rochester Electronics, LLC ¥25.80000 类似

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SPP20N60CFDHKSA1

型号:SPP20N60CFDHKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

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