SI3424DV-T1-E3

制造商编号:
SI3424DV-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
规格说明书:
SI3424DV-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 @ 6.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC @ 10 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-TSOP
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

客服

购物车

SI3424DV-T1-E3

型号:SI3424DV-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00