库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥47.359468 | ￥47.36 |
| 10 | ￥42.56011 | ￥425.60 |
| 100 | ￥34.865968 | ￥3486.60 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.3 毫欧 @ 110A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 130 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 11360 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 370W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D2PAK |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BUK964R4-40B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥21.12000 | 类似 |
| STH140N8F7-2 | STMicroelectronics | ¥26.42000 | 类似 |
| RSJ650N10TL | Rohm Semiconductor | ¥49.23000 | 类似 |
IRLS4030TRLPBF
型号：IRLS4030TRLPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥47.359468 |
| 10+： | ￥42.56011 |
| 100+： | ￥34.865968 |
| 800+： | ￥29.800283 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥47.36