- 制造商编号：
- SIZF906BDT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
- 规格说明书：
- SIZF906BDT-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.524215 | ￥16.52 |
| 10 | ￥14.771081 | ￥147.71 |
| 100 | ￥11.51361 | ￥1151.36 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.1 毫欧 @ 15A，10V，680µ欧姆 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 49nC @ 10V，165nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1630pF @ 15V，5550pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装: | 3,000 |
SIZF906BDT-T1-GE3
型号：SIZF906BDT-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
库存：0
单价：
| 1+： | ￥16.524215 |
| 10+： | ￥14.771081 |
| 100+： | ￥11.51361 |
| 500+： | ￥9.511308 |
| 1000+： | ￥7.508882 |
| 3000+： | ￥7.508882 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.52