IXTH30N60P

制造商编号:
IXTH30N60P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
规格说明书:
IXTH30N60P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 92.784604 92.78
10 83.834423 838.34
100 69.40391 6940.39

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Polar
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 82 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5050 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 540W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ¥24.73000 类似

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IXTH30N60P

型号:IXTH30N60P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247

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1+: ¥92.784604
10+: ¥83.834423
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