库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥115.015369 | ￥115.02 |
| 10 | ￥105.722294 | ￥1057.22 |
| 100 | ￥89.29095 | ￥8929.09 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Transphorm |
| 系列: | TP65H070L |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 85 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.8V @ 700µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 600 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 96W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 3-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 3-PowerDFN |
| 标准包装: | 60 |
TP65H070LDG
品牌：Transphorm
描述：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
库存：0
单价：
1+： ￥115.015369
10+： ￥105.722294
100+： ￥89.29095
500+： ￥79.43032
1000+： ￥74.699367
货期： 1-2 天
数量：
- +
单价：￥0.00总价：￥115.02