货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥18.032585 | ¥18.03 |
10 | ¥16.229327 | ¥162.29 |
100 | ¥13.043874 | ¥1304.39 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | M |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 20 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 40 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,10A |
功率 - 最大值: | 115 W |
开关能量: | 120µJ(开),270µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 28 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 19ns/91ns |
测试条件: | 400V,10A,22 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 96 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
标准包装: | 1,200 |
STGW10M65DF2
型号:STGW10M65DF2
品牌:ST意法半导体
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
库存:0
单价:
1+: | ¥18.032585 |
10+: | ¥16.229327 |
100+: | ¥13.043874 |
500+: | ¥10.717192 |
1000+: | ¥10.110558 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.03