STGW10M65DF2

制造商编号:
STGW10M65DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
规格说明书:
STGW10M65DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.032585 18.03
10 16.229327 162.29
100 13.043874 1304.39

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: M
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,10A
功率 - 最大值: 115 W
开关能量: 120µJ(开),270µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 28 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/91ns
测试条件: 400V,10A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 96 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
标准包装: 1,200

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STGW10M65DF2

型号:STGW10M65DF2

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

库存:0

单价:

1+: ¥18.032585
10+: ¥16.229327
100+: ¥13.043874
500+: ¥10.717192
1000+: ¥10.110558

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥18.03