BSP89 E6327

制造商编号:
BSP89 E6327
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
规格说明书:
BSP89 E6327说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: SIPMOS®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 @ 350mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.8W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-4
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
BSP89,115 Nexperia USA Inc. ¥4.68000 类似

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品牌:Infineon英飞凌

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