IXFK210N30X3

制造商编号:
IXFK210N30X3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 210A TO264
规格说明书:
IXFK210N30X3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 321.594288 321.59
10 296.577945 2965.78
100 253.257149 25325.71

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Ultra X3
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 210A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 毫欧 @ 105A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 375 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 0.0242 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

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IXFK210N30X3

型号:IXFK210N30X3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 210A TO264

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1+: ¥321.594288
10+: ¥296.577945
100+: ¥253.257149

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