货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥30.549281 | ¥30.55 |
10 | ¥27.433429 | ¥274.33 |
100 | ¥22.474424 | ¥2247.44 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ II |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 33 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 64 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2300 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 150W(Tc) |
工作温度: | -65°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PHB47NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | ¥16.13000 | 类似 |
IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | ¥29.80000 | 类似 |
SQM40N10-30_GE3 | Vishay Siliconix | ¥18.12000 | 类似 |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies | ¥17.51000 | 类似 |
BUK9629-100B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥13.82000 | 类似 |
STB40NF10LT4
型号:STB40NF10LT4
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥30.549281 |
10+: | ¥27.433429 |
100+: | ¥22.474424 |
500+: | ¥19.132032 |
1000+: | ¥18.335885 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.55