- 制造商编号：
- RUQ050N02HZGTR
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
- 规格说明书：
- RUQ050N02HZGTR说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.019653 | ￥8.02 |
| 10 | ￥7.037401 | ￥70.37 |
| 100 | ￥5.393931 | ￥539.39 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 30 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 900 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 950mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TSMT6（SC-95） |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装: | 3,000 |
RUQ050N02HZGTR
型号：RUQ050N02HZGTR
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.019653 |
| 10+： | ￥7.037401 |
| 100+： | ￥5.393931 |
| 500+： | ￥4.264391 |
| 1000+： | ￥3.411511 |
| 3000+： | ￥3.091694 |
| 6000+： | ￥2.907528 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.02