货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥141.319957 | ¥141.32 |
10 | ¥129.898479 | ¥1298.98 |
100 | ¥112.17256 | ¥11217.26 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | - |
技术: | - |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 28A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | - |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | - |
标准包装: | 30 |
IMZA65R072M1HXKSA1
型号:IMZA65R072M1HXKSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存:0
单价:
1+: | ¥141.319957 |
10+: | ¥129.898479 |
100+: | ¥112.17256 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥141.32