IRFSL4127PBF

制造商编号:
IRFSL4127PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 200V 72A TO262
规格说明书:
IRFSL4127PBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 42.8193 42819.30

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 72A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 150 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5380 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-262
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPI110N20N3GAKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥24.22800 类似

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型号:IRFSL4127PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 200V 72A TO262

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