SUM50020EL-GE3

制造商编号:
SUM50020EL-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
规格说明书:
SUM50020EL-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.64875 30.65
10 27.499327 274.99
100 22.529753 2252.98

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 126 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11113 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D²Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STH260N6F6-2 STMicroelectronics ¥53.76000 类似
AUIRFS3107-7P Rochester Electronics, LLC ¥20.88710 类似

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SUM50020EL-GE3

型号:SUM50020EL-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO263

库存:0

单价:

1+: ¥30.64875
10+: ¥27.499327
100+: ¥22.529753
800+: ¥19.179217
1600+: ¥17.330619

货期:1-2天

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