货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 32 毫欧 @ 5.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 555 pF @ 5 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.4W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | ¥3.53000 | 类似 |
DMN3052L-7
型号:DMN3052L-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00